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（原标题：出动HBM云开体育，一场炒作骗局）

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起首 ：内容来自pc.watch 。

超高带宽 DRAM 模块时间 HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器) 的出动开导版块——出动 HBM (Mobile HBM)，近期在科技媒体中引起心计。多家来自韩国和好意思国的媒体在 2025 年 5 月之后接踵报谈称，2027 年款的旗舰智高手机将接管这种时间（尚未获得证据）。

那么，出动 HBM 模块与传统的 HBM 模块有什么不同？本文将先对底本的 HBM 模块进行简要证明，再揭示所谓“出动 HBM”的真相。

HBM 的特色：DRAM 的 3D TSV 堆叠与超宽 I/O 总线

HBM 模块的主要用途是当作 AI/机器学惯用 GPU、TPU 等超高性能处分器的外部存储器。处分器与多个 HBM 模块（连接为 4/6/8/12 个）被细致集成在归并个硅中介层（Interposer）上，并封装在一个 BGA 封装内。这么，处分器与 HBM 模块之间的数据传输速率极快，与其他 DRAM 模块比较，可显赫升迁机器学习的锤真金不怕火和推感性能。

HBM 接管 3D 堆叠结构：底层为逻辑芯片 Base Die，其上堆叠多个 DRAM Core Die，并通过 TSV (硅通孔) 铜柱电极与中介层及芯片间贯穿。

HBM DRAM 芯片具有 1024bit I/O 总线，传输距离极短，相配相宜宽带传输。HBM3 的速率为 7–8Gbps/Pin，HBM3E可达10Gbps/Pin。以 8Gbps/Pin 为例，单模块带宽可达 1024GB/s。

堆叠的 DRAM 芯片数连接为 8/12/16 片，以此扩张容量。举例单片容量为 16Gb (2GB)，12 层堆叠则为 24GB，若归并中介层上搭载 8 个模块，总容量可达 192GB。

出动 HBM 的外传泉源：韩国媒体 ETnews

HBM 模块体积繁密、速率极高、本钱极贵，况且功耗极大，因此并不相宜径直利用在出动开导上。

尽管如斯，“出动 HBM 将被开发并用于手机”的音问仍然出咫尺部分媒体报谈中。追忆起首，执行上是韩国科技媒体 ETnews 于 2025 年 5 月 14 日在一篇对于 iPhone 20 周年缅想机型（即 2027 款） 的猜度著述中，提到该机型可能接管 “Mobile HBM” 或LLW (Low Latency Wide I/O) DRAM。之后，其他媒体的报谈的确齐径直或蜿蜒援用了 ETnews，其中致使有媒体的确是照搬并翻译。

ETnews 报谈中的这一表述，激励了外界的诬蔑和污染。东谈主们很当然会把“Mobile HBM”清醒为“低功耗版 HBM”，但事实并非如斯。

LLW DRAM 的陈迹

所谓 LLW DRAM，执行上是三星在 2023–2024 年间公布的一种面向终局 AI 的低功耗 DRAM。其目的规格是：带宽 128GB/s（接近 HBM1），能耗仅 1.2pJ/bit。

此外，TechInsights 在 2024 年 10 月的拆解禀报中发现，苹果的 AR/VR 头显 Vision Pro 的及时处分器 R1 APL1W08 与多颗 SK hynix 的 1Gbit LLW DRAM 芯片，被封装在一个 InFO-M（扇出型多芯片封装）内，由台积电拼装。这种封装形势是芯片比肩布局，而非 HBM 那样的 3D 堆叠，但带宽可达 256GB/s，接近 HBM2。

这标明 LLW DRAM 的想路是通过 宽 I/O 总线 收尾高带宽，而非接管 HBM 的 TSV 堆叠。

“出动 HBM”的真相

ETnews 的著述还提到，SK hynix 的 VFO 和三星的 VCS 两种新式封装时间，被称作 Mobile HBM 或 LLW DRAM。

执行上，VFO 与 VCS 齐是 微型化、薄型化的 3D 封装时间。它们与传统的 FPBGA（细间距球栅阵列封装） 相通，但接管垂直铜柱电极 + RDL（再布线层）基板，从而镌汰连线距离、贬低厚度并提高传输速率。

关联词，这些时间实质上与 HBM 透彻不同。三星与海力士自己也莫得使用 “Mobile HBM” 这一称号，而 JEDEC 当作内存圭臬组织，也从未界说过“Mobile HBM”。

因此，所谓出动 HBM，更可能是 ETnews 的造词，被其他媒体借用以招引眼球。它在时间上并不修复，容易激励诬蔑，应幸免将干系 DRAM 时间或封装时间称为“Mobile HBM”。

https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2044902.html

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